-
RFTXX-30CR6363C Resistor Microcircuiti Resistor RF
Exemplar RFTXX-30CR6363C Potentia 30W Resistentia XX Ω (10~3000Ω Adaptabilis) Tolerantia Resistentiae ±5% Coefficiens Temperaturae <150ppm/℃ Substratum BeO Elementum Resistivum Pellicula Crassa Temperatura Operandi -55 ad +150°C (Vide de De-classificatione Potentiae) Rationes montandi commendatae De-classificatione Potentiae Profilum Refusionis P/N Designatio Usus attentio ■ Postquam tempus repositionis partium nuper emptarum 6 menses excedit, attentio ad sudurabilitatem ante usum adhibenda est. Commendatur... -
RFTXX-30CR2550W Resistor Microcircuiti Resistor RF
Exemplar RFTXX-30CR2550W Potentia 30 W Resistentia XX Ω (10~3000Ω Adaptabilis) Tolerantia Resistentiae ±5% Coefficiens Temperaturae <150ppm/℃ Substratum BeO Elementum Resistivum Pellicula Crassa Temperatura Operandi -55 ad +150°C (Vide de De-classificatione Potentiae) Rationes montandi commendatae De-classificatione Potentiae Profilum Refusionis P/N Designatio Usus attentio ■ Postquam tempus repositionis partium nuper emptarum 6 menses excedit, attentio ad sudurabilitatem ante usum adhibenda est. Commendatur... -
RFTXX-30CR2550TA Resistor Microcircuiti Resistor RF
Exemplar RFTXX-30CR2550TA Potentia 30W Resistentia XX Ω (10~3000Ω Adaptabilis) Tolerantia Resistentiae ±5% Coefficiens Temperaturae <150ppm/℃ Substratum BeO Elementum Resistivum Pellicula Crassa Temperatura Operandi -55 ad +150°C (Vide de De-classificatione Potentiae) Rationes montandi commendatae De-classificatione Potentiae Profilum Refusionis P/N Designatio Usus attentio ■ Postquam tempus repositionis partium nuper emptarum 6 menses excedit, attentio ad sudurabilitatem ante usum adhibenda est. Commendatur... -
RFTXX-30RM2006 Resistor Flangatus Resistor RF
Exemplar RFTXX-30RM2006 Potentia 30 W Resistentia XX Ω (10~2000Ω Adaptabilis) Tolerantia Resistentiae ±5% Capacitas 2.6 PF@100Ω Coefficiens Temperaturae <150ppm/℃ Substratum BeO Tegmen AL2O3 Flangia Montandi Aes Plumbum Argentum purum 99.99% Elementum Resistivum Pellicula Crassa Temperatura Operandi -55 ad +150°C (Vide De-classificationem Potentiae) Delineatio Adumbrata (Unitas: mm) Longitudo fili plumbei potest requisitis emptoris satisfacere Tolerantia Magnitudinis：5% nisi aliter dictum Suggestum... -
Resistor RF RFTXX-30RM1306
Exemplar RFTXX-30RM1306 Potentia 30 W Resistentia XX Ω (10~2000Ω Adaptabilis) Tolerantia Resistentiae ±5% Capacitas 2.6 PF@100Ω Coefficiens Temperaturae <150ppm/℃ Substratum BeO Tegmen AL2O3 Flangia Montandi Aes Plumbum Argentum purum 99.99% Elementum Resistivum Pellicula Crassa Temperatura Operandi -55 ad +150°C (Vide De-classificationem Potentiae) Delineatio Adumbrata (Unitas: mm) Longitudo fili plumbei potest requisitis emptoris satisfacere Tolerantia Magnitudinis：5% nisi aliter dictum Suggestum... -
Isolator Iunctionis Dualis
Isolator iunctionis dualis est instrumentum passivum vulgo adhibitum in frequentiis microundarum et undarum millimetricarum ad signa inversa ab extremo antennae separanda. Ex structura duorum isolatorum constat. Damnum insertionis et isolatio eius typice duplo maiores sunt quam isolatoris singularis. Si isolatio unius isolatoris 20dB est, isolatio isolatoris iunctionis dualis saepe 40dB esse potest. VSWR portus non multum mutatur. In systemate, cum signum frequentiae radiophonicae a portu input ad primam iuncturam anularem transmittitur, quia unum extremum primae iunctionis anularis resistore frequentiae radiophonicae instructum est, signum eius tantum ad extremum input secundae iunctionis anularis transmitti potest. Secunda iunctura anularis eadem est ac prima; cum resistores RF installati sunt, signum ad portum output transmittetur, et isolatio eius erit summa isolationis duarum iunctionum anularis. Signum inversum a portu output revertens a resistore RF in secunda iunctura anulari absorbebitur. Hoc modo, magnus gradus segregationis inter portas ingressus et egressus obtinetur, reflexiones et interferentiam in systemate efficaciter reducens.
Frequentiae amplitudo a 10MHz ad 40GHz, usque ad potentiam 500W.
Applicationes militares, spatiales et commerciales.
Iactura insertionis humilis, alta segregatio, magna potentiae tractatio.
Designatio ad libitum praesto est ad petitionem.
-
Isolator SMT/SMD
Isolator SMD est instrumentum isolationis ad involucrum et institutionem in PCB (tabula circuiti impressi) adhibitum. Late in systematibus communicationis, apparatu microfluctuum, apparatu radiophonico, et aliis campis adhibetur. Isolatores SMD parvi, leves, et faciles ad instituendum sunt, ita ut apti sint ad applicationes circuiti integrati altae densitatis. Sequentia introductionem accuratam ad proprietates et applicationes isolatorum SMD praebebunt. Primo, isolatores SMD latam capacitatem tegendi frequentiae habent. Typice latam frequentiae seriem, ut 400MHz-18GHz, tegunt ut requisitis frequentiae variarum applicationum satisfaciant. Haec ampla capacitas tegendi frequentiae isolatores SMD permittit ut egregie in multis condicionibus applicationum fungantur.
Frequentiae amplitudo a 200MHz ad 15GHz.
Applicationes militares, spatiales et commerciales.
Iactura insertionis humilis, alta segregatio, magna potentiae tractatio.
Designatio ad libitum praesto est ad petitionem.
-
RFTXX-20RM0904 Resistor RF
Exemplar RFTXX-20RM0904 Potentia 20 W Resistentia XX Ω (10~3000Ω Adaptabilis) Tolerantia Resistentiae ±5% Capacitas 1.2 PF@100Ω Coefficiens Temperaturae <150ppm/℃ Substratum BeO Tegmen AL2O3 Flangia Montandi Aes Plumbum Argentum purum 99.99% Elementum Resistivum Pellicula Crassa Temperatura Operandi -55 ad +150°C (Vide De-classificationem Potentiae) Delineatio Adumbrata (Unitas: mm) Longitudo fili plumbei potest requisitis emptoris satisfacere Tolerantia Magnitudinis：5% nisi aliter dictum Suggestum... -
Isolator Microstrip
Isolatores microstrip sunt instrumenta vulgo ad transmissionem signorum et separationem in circuitibus adhibentur. Technologia pelliculae tenuis utitur ad circuitum supra ferritum magneticum rotantem creandum, deinde campum magneticum addit ad hoc efficiendum. Installatio isolatorum microstrip plerumque methodum manualis soldadurae laminarum cuprearum vel nexus filorum aureorum adhibet. Structura isolatorum microstrip valde simplex est, comparata cum isolatoribus coaxialibus et inclusis. Differentia manifesta est nullam cavitatem esse, et conductor isolatoris microstrip per processum pelliculae tenuis (vacuum sputtering) fit ad formam designatam in ferrite rotante creandam. Post galvanoplastiam, conductor productus substrato ferrite rotanti adnectitur. Stratum medii insulationis supra graphum adnecte, et campum magneticum in medio fige. Hac structura simplici, isolator microstrip fabricatus est.
Frequentiae amplitudo 2.7 ad 43GHz
Applicationes militares, spatiales et commerciales.
Iactura insertionis humilis, alta segregatio, magna potentiae tractatio.
Designatio ad libitum praesto est ad petitionem.
-
CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC~3.0GHz Minimum Intermodulatio Terminatio
Exemplar CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G Ambitus Frequentiae DC~3.0GHz VSWR 1.20 Max PIM3 ≥120dBc@2*33dBm Potentia 50W Impedentia 50 Ω Typus connectoris DIN-M (J) Gradus Impermeabilis IP65 Dimensiones 60×60×80mm Temperatura Operandi -55 ~ +125°C (Vide De-classificationem Potentiae) Color Niger Pondus Circa 410 g Adhibe diligenter De-classificationem Potentiae P/N Designatio -
Resistor RF RFTXX-20RM1304
Exemplar RFTXX-20RM1304 Potentia 20 W Resistentia XX Ω (10~3000Ω Adaptabilis) Tolerantia Resistentiae ±5% Capacitas 1.2 PF@100Ω Coefficiens Temperaturae <150ppm/℃ Substratum BeO Tegmen AL2O3 Flangia Montandi Aes Plumbum Argentum purum 99.99% Elementum Resistivum Pellicula Crassa Temperatura Operandi -55 ad +150°C (Vide De-classificationem Potentiae) Delineatio Adumbrata (Unitas: mm) Longitudo fili plumbei potest requisitis emptoris satisfacere Tolerantia Magnitudinis：5% nisi aliter dictum Suggestio... -
